熔断器与断路器主要特点

　　1.熔断器的主要特点包括：

　　1）选择性好。上下级熔断器的熔断体额定电流只要符合国标和IEC标准规定的过电流选择比为1.6:1的要求，即上级熔断体额定电流不小于下级的该值的1.6倍，就视为上下级能有选择性切断故障电流；

　　2）限流特性好，分断能力高；

　　3）相对尺寸较小；

　　4）价格较便宜。

　　2.熔断器的主要特点

　　1）故障熔断后必须更换熔断体；

　　2）保护功能单一，只有一段过电流反时限特性，过载、短路和接地故障都用此防护；

　　3）发生一相熔断时，对三相电动机将导致两相运转的不良后果，当然可用带发报警信号的熔断器予以弥补，一相熔断可断开三相；

　　4）不能实现遥控，需要与电动刀开关、开关组合才有可能。

　　熔断器与断路器的区别分析

　　1.熔断器与断路器的相同点是：都能实现短路保护。

　　2.熔断器与断路器的区别表现在：

　　1）熔断器的原理是利用电流流经导体会使导体发热，达到导体的熔点后导体融化所以断开电路保护用电器和线路不被烧坏。它是热量的一个累积，所以也可以实现过载保护。一旦熔体烧毁就要更换熔体。

　　2）断路器也可以实现线路的短路和过载保护，不过原理不一样，它是通过电流底磁效应实现断路保护，通过电流的热效应实现过载保护（不是熔断，多不用更换器件）。

　　在实际中，当电路中的用电负荷长时间接近于所用熔断器的负荷时，熔断器会逐渐加热，直至熔断。像上文所讲到，熔断器的熔断是电流和时间共同作用的结果起到对线路进行保护的作用，它是一次性的。而断路器是电路中的电流突然加大，超过断路器的负荷时，会自动断开，它是对电路一个瞬间电流加大的保护，例如当漏电很大时，或短路时，或瞬间电流很大时的保护。当查明原因，可以合闸继续使用。总之，熔断器的熔断是电流和时间共同作用的结果，而断路器，只要电流一过其设定值就会跳闸，时间作用几乎可以不用考虑。

　　快速熔断器

　　快速熔断器主要用于半导体整流元件或整流装置的短路保护。由于半导体元件的过载能力很低。只能在极短时间内承受较大的过载电流，因此要求短路保护具有快速熔断的能力。快速熔断器的结构和有填料封闭式熔断器基本相同，但熔体材料和形状不同，它是以银片冲制的有V形深槽的变截面熔体。

　　自复熔断器

　　自复熔断器是采用金属钠作熔体，在常温下具有高电导率。当电路发生短路故障时，短路电流产生高温使钠迅速汽化，汽态钠呈现高阻态，从而限制了短路电流。当短路电流消失后，温度下降，金属钠恢复原来的良好导电性能。自复熔断器只能限制短路电流，不能真正分断电路。其优点是不必更换熔体，能重复使用。

　　如何选用熔断器

　　1.一般熔断器选用标准

　　①导线保护（gG/gL特性）：线路中过载电流和短路电流会造成导线、电缆温度过高，导致导线、电缆的绝缘破坏，甚至断裂。熔断器作导线、电缆过载保护可布置在导线、电缆的进线端或出线端，熔断器额定电流约为线路电流的1.25倍；作短路保护时熔断器必须安装在导线、电缆的进线端，熔断器额定电流约为脱扣电流的1.45倍。[1]

　　②电动机保护（aM/gM特性）：一套简单的电动机线路通常由熔断器、接触器、热继电器、电动机等组成。根据经验，在此线路中，选择熔断器额定电流约为电动机额定电流的1.2~1.5倍。

　　③电容器开关设备保护：在电容器开关设备中，熔断器推存作短路保护，所选择的熔断器的额定电流不得小于电容器额定电流的1.6倍。

　　2.半导体器件保护（aR/gR特性）熔断器选用标准

　　电力半导体器件热容量小，在故障状态下必须要有快速熔断器保护。而快速熔断器具有与半导体器件类似的热特性，所以是一种良好的保护器件。快速熔断器选用一般原则如下：

　　①额定电压：快速熔断器的额定电压UN应稍大于快速熔断器熔断后两端出现的故障电路的外加交流电压。若半导体设备的负荷是有源逆变器、逆变型制动的电动机等逆变型负载时，应考虑半导体器件失控等引起设备直流侧短路的可能性，此时快速熔断器熔断时，熔片两端交流电压与直流电压叠加现象，快速熔断器的额定电压应按下式计算：UN ≥Uac+Udo×1/√2式中：Uac:快速熔断器熔断后外加交流电压；Udo:半导体设备负载端逆变型直流电压。

　　②额定电流：熔断器的额定电流INF是以电路中实际流过熔断器的电流有效值IF为基础，并考虑环境温度、冷却条件、电流裕度等因素影响进行计算。INF≥K×IF式中：K值一般可取1.5~2.对于自冷式熔断器K取较大值，尤其对熔断器两端连接导线特别短的电路，需取值；对水冷式熔断器K取较小值。快速熔断器选用额定电流过大势必增加熔断器的I2tF值，对半导体器件的保护是有害的。

　　③分断I2t:当半导体器件与快速熔断器串联工作时，半导体器件允许通过的I2tD值应大于快速熔断器的I2tF值，不然熔断器熔断时，器件也被烧损。二者关系应满足：I2tF≤0.9I2tD .

　　④分断过电压：熔断器在减弧过程中，在线路中产生的过电压，过高的过电压会使半导体器件产生反向击穿，因此分断过电压必须小于或者等于半导体器件允许反向峰值电压。快速熔断器熔断时产生的过电压（峰值）一般为故障电压（方均根值）的2~2.5倍左右。

　　⑤额定分断能力：快速熔断器的额定分断能力应大于半导体设备中快速熔断器分断时流过的故障电流峰值，一般应包括半导体设备中的变压器阀侧内部短路电流值及直流侧短路电流值，不然将会引起快速熔断器炸裂、串弧等事故。