确定门极电荷Qg和门极电容

　　对于设计一个驱动器来说，最重要的参数莫过于门极电荷Qg的大小，同时确定实际的门极输入电容Cies的大小，因为Datasheet中给到的输入电容大小一般是个参考值，确定实际门极输入电容是一重要意义的。

　　我们可以通过测量门极的充电过程来确定实际输入结电容Cin的大小。首先，在负载端没有输出电压的情况下，我们可以进行下面这样的计算：

　　门极电荷Qg=∫idt=C*ΔV

　　确定了门极电荷Qg之后，我们可以通过门极充电过程中的门极电压上升过程，示波器可以测量出ΔV，那么利用公式可以计算出实际的门极输入电容

　　Cin=Qg/ΔV

　　这里的测得的实际输入结电容Cin在我们的设计中是具有很大意义的。

　　1.关于Ciss

　　在IGBT的Datasheet中，我们经常会看到一个参数Ciss，在实际电路应用中，这个参数其实并不算一个很有用的参数，是因为它是通过电桥测得的，由于测量电压太小而不能达到门极的门槛电压，实际开关过程中的miller效应并没有能包涵在内。在测量电路中，一个25V的电压加在集电极上，在这种测量方法下测得的结电容要比Vce=0的时候要小一些，因此，规格书中的Ciss这个参数一般用于IGBT相互做对比时使用。

　　一般我们使用下面的经验公式根据规格书的Ciss来计算输入电容Cin的大小

　　Cin=5Ciss

　　2.驱动功率的计算

　　接下来让我们看看应该如何来计算驱动功率。

　　在输入结电容中存储的能量可以通过如下公式计算：

　　W=1/2*Cin*ΔU?

　　其中，ΔU是门极上上升的整个电压，比如在±15V的驱动电压下，ΔU就是30V。

　　在每个周期，门极被充电两次，一个IGBT所需的驱动功率我们可以按下式计算：

　　P=f*Cin*ΔU?

　　如果门极电荷先前通过测量得到了，那么

　　P=f*Qg*ΔU

　　这个功率是每个IGBT驱动时所必须的，但门极的充放电时基本没有能量损失的，这个功率实际上损失在驱动电阻和外部电路中。当然，设计时还需要考虑其他方面的损耗，比如供电电源的损耗。