IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器

　　公司主营原装进口电子元器件：Infineon/英飞凌、Semikron/西门康、IXYS/艾赛斯、SanRex/三社、FUJI/富士、Mitsubishi /三菱、MACMIC宏微、Westcode/西玛、TECHSEM/台基、美国IR 、Microsemi/美高森美快恢复二极管、整流桥，IGBT模块、ABB可控硅晶闸管；Bussmann/巴斯曼、Siemens/西门子、Ferraz/罗兰 、Hinode/日之出、德国SIBA西霸、JEAN MULLER 、MIRO茗熔、长城等品牌熔断器；瑞士CONCEPT驱动；Hicon/海立电容器、EPCOS电容、Jianghai/江海电容器等；本公司商品均为实物实拍，优势库存~型号齐全、价格优惠、欢迎咨询！!